包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:NPN,电压 - 集射极击穿（最大值）:2.6V,频率 - 跃迁:85GHz,噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.75dB @ 5.5GHz,增益:35dB,功率 - 最大值:75mW,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:150 @ 10mA， 1.8V,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35mA,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SC-82A，SOT-343,供应商器件封装:4-TSFP

暂无BFP 840FESD H6327的引脚图与功能信息

暂无BFP 840FESD H6327的工作原理信息

暂无BFP 840FESD H6327的替代产品信息

暂无BFP 840FESD H6327的PDF资料信息